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提供優(yōu)質(zhì)測試探針批發(fā)和定制
產(chǎn)品名稱：P50-J、PA50-J
所屬分類：測試探針
產(chǎn)品簡介：測試探針外徑為0.68mm，頂針總長為16.55mm測試探針、頂針、彈簧針、PCB測試針、ICT測試針、測試架探針
產(chǎn)品介紹（產(chǎn)品概述）:
針管:磷銅管鍍金
彈簧：不銹鋼線
針桿：鈹銅或SK4鍍金或銠
套管：磷銅鍍金‘
鉆孔尺寸：0.90mm
額定電流：3安培
接觸彈力：75g
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隨著半導(dǎo)體測試技術(shù)的不斷發(fā)展，高溫晶元測試已經(jīng)逐漸成為主流，并且測試溫度逐年升高。在不斷改良硬件設(shè)施的性能外，如何通過持續(xù)改進(jìn)工藝制程和參數(shù)來更好的保證高溫晶元測試的穩(wěn)定性和安全性尤為重要 在晶元測試過程中探針卡的探針需要與晶元芯片表面PAD良好接觸以建立起測試機(jī)到芯片的電流通路。接觸的深度需要被控制在微米級，按照晶元層結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)不同，通常在0.5微米到1.5微米之間較適宜。過淺會造成接觸不良導(dǎo)致測試結(jié)果不穩(wěn)定，過深則會有潛在的破壞底層電路的風(fēng)險(xiǎn)。而最直接影響接觸深度的物理量就是OD(Over-Drive)。與室溫測試相比，由于整套測試硬件在高溫環(huán)境下會發(fā)生熱膨脹，且在測試過程中會表現(xiàn)出與熱源距離相關(guān)的持續(xù)波動性，要保證高溫測試的穩(wěn)定安全，需要一套特殊的工藝
2021-02-05
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